Замгоссекретаря Шеннон планирует встретиться с замглавы МИД РФ Рябковым

23 июня в России может пройти встреча заместителя госсекретаря Томаса Шэннона и замглавы российского МИД Сергея Рябкова. Информация об этом появилась в американских СМИ. По их данным, Шеннон отправится в Россию для проведения консультаций по нормализации двусторонних отношений и для продолжения диалога по устранению «раздражителей» между Москвой и Вашингтоном.  


фото: Геннадий Черкасов

По данным телеканала ABC, 23 июня заместитель главы американского внешнеполитического ведомства Томас Шеннон планирует встретиться с заместителем министра иностранных дел России Сергеем Рябковым.  

«Высокопоставленный представитель госдепартамента отправляется в Россию 23 июня для встречи со своим российским коллегой в рамках продолжающегося диалога по устранению «раздражителей» в отношениях между Москвой и Вашингтоном», — сообщает телеканал.

В Госдепе точность этой информации подтвердить отказались.   

О возможной встрече со своим американским коллегой днем ранее говорил заместитель главы МИД РФ Сергей Рябков. Отметив, что детали переговоров к настоящему времени не согласованы, дипломат сообщил, что надеется встретиться с Шэнноном до конца месяца в Санкт-Петербурге.

По словам дипломата, к настоящему времени нет «окончательного понимания» по времени, формату и месту проведения консультаций, но понимание есть по их повестке.

«В принципе по повестке дня понимание есть», — заявил Рябков, чьи слова приводит агентство ТАСС. На встрече будет обсуждаться вопрос российской дипломатической собственности в США, сказал замминистра.

О том, что встреча будет посвящена именно этому вопросу, говорится и в сегодняшних публикациях американских СМИ.

«Шеннон и Рябков встретятся на фоне сообщений, что Белый Дом рассматривает возможность возвращения российской стороне доступа к двум дипломатическим комплексам в Соединенных Штатах», — говорится в сообщении.

Читайте также:  По мелочи...
Не жмись, лайкни!!!


Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *